단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법이 개시된다. 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법은 금박층 및 상기 금박층 하부에 배치되고 상기 금박층의 면적에 대응하는 면적을 가지며 메타텅스텐산암모늄(ammonium metatungstate, AMT)을 포함하는 전구체 용액이 분무되어 있는 세라믹 보트(ceramic boat)를 화학기상증착(CVD) 챔버내에 배치하는 단계; 상기 챔버내에 황화수소(H2S) 가스 또는 셀레늄화수소(H2Se) 가스와 질소(N2) 가스를 공급하는 단계; 및 상기 금박층 및 상기 세라믹 보트를 가열하여 상기 금박층의 하부면 상에 텅스텐 디설파이드(Tungsten disulphide, WS2) 또는 텅스텐 디셀레나이드(tungsten diselenide, WSe2)으로 이루어진 단일층을 형성하는 단계를 포함한다.
